SAT910真空等离子去胶机（Plasma）是一种利用低压气体在高频电场作用下产生的低温等离子体，来物理和化学地去除基片（如硅片、化合物半导体晶圆、玻璃基板、陶瓷基板等）表面有机物质（主要是光刻胶）的半导体制造专用设备。它是湿法化学去胶的重要替代或补充技术。  

主要特点：  

1.实时检测和显示真空度,使得机器在智能控制下有了可靠的依据.  

2.真空值可自由设定,(范围:10—60帕)为外加气体提供了可靠的辉光启动环境,为辉光纯度提供了有利的保障,保证了实验效果的准确性和可靠性.  

3.真空腔体采用铰链侧开门结构,带有观察窗,材料为6061材质.  

4.真空腔体、管路、阀体全部为不锈钢材料.  

5.电容式（CCP）激发,实验效果稳定,均匀可靠,电极板置于样品仓内顶部悬挂.  

6.触摸屏+内置计算机显示控制,手动自动两种模式任意切换.  

7.程序化设计，预先编辑好程序，仪器自动完成实验.  

8.利用气体电离后产生的等离子体的反应活性与材料表面发生的物理或者化学反应，使材料表面成分、组成和结构发生变化，并能得到某些特定的基团。  

9.无需任何耗材，使用成本低，无需特殊进行维护，在日常使用中保持仪器清洁即可。  

技术规格参数：  

核心原理：  

•等离子体产生：设备将工艺气体（如氧气）通入真空反应腔。  

•激发与电离：在真空条件下，通过施加高频射频能量（典型频率13.56MHz）到电极上，气体分子被电场加速、碰撞，失去电子被电离，形成包含高活性粒子的等离子体：  

•自由基：不带电的高活性中性粒子（如氧原子O*）。  

•离子：带电粒子（如O₂⁺,O⁺）。  

•电子：高速运动。  

•紫外线光子：伴随等离子体发光而产生。  

•去胶机制：  

•化学作用（主导）：活性氧自由基与有机光刻胶（碳氢化合物）发生剧烈的氧化反应，将其转化为挥发性气体产物（如CO,CO₂,H₂O）。  

•物理作用（次要/辅助）：高能离子轰击表面，物理溅射微量的材料。  

•紫外光作用：光解和辅助化学反应。  

主要应用： 

1.表面清洁  

2.表面活化  

3.键合  

4.去胶  

5.金属还原  

6.简单刻蚀  

7.去除表面有机物  

8.疏水实验  

9.沉积实验  

10.形成新的基团  

11.镀膜前处理等