| CAS: | 25617-97-4 | |||||
| 分子式: | GaN | |||||
| 分子量: | 83.73 | |||||
| 熔点: | 800℃ | |||||
| 中文名称: |
| |||||
| 英文名称: |
|
| 货号 | 品牌 | 产品名称 | 规格 | 包装、参考价格 | 详情 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G888740 | MACKLIN | 氮化镓(III) | 99.9999% metals basis | 1150元/5g; 4446元/25g; | 储存:室温, 干燥, 充氩保存 状态:黄色到棕褐色到暗灰色粉末 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| G810665 | MACKLIN | 氮化镓 | 99.99% metals basis | 134元/1g; 428元/5g; 728元/10g; 1784元/25g; 6200元/100g; | 储存:室温, 干燥, 充氩保存 状态:黄色到棕褐色粉末 | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 040218 | Alfa Aesar | Gallium(III) nitride | 99.99% (metals basis) | 3112元/10g; 16328元/50g; 0元/250g; | 应用 备注 基本信息 MDL EINECS 分子式 分子量 熔点 密度 灵敏度 形态 溶解性 Merck GHS危害和防范说明 GHS符号 Hazard Statements Precautionary Statements 安全信息 危险类别 安全等级 TSCA | ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||
| 481769 | Sigma-Aldrich | Gallium nitride | 99.9% trace metals basis | 2353.41元/10 G; 8060.57元/50 G; | 产品说明 应用 氮化镓(GaN)是一种宽带隙半导体材料,可用于各种电子器件的开发,如发光二极管(LED)和场效应晶体管(FET)。它还可用作基于自旋电子学应用的过渡金属掺杂剂。 包装 10, 50 g in glass bottle 基本信息
产品性质
安全信息
| ||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||||