RMS1000P系列 高温四探针电阻率测量系统

主要用于评估半导体薄膜和薄片的导电性能，该系统采用直排四探针测量原理和单晶硅物理测试方法国家标准并参考美国 A.S.T.M 标准设计研发，可以实现高温、真空及惰性气氛条件下测量硅、锗 单晶（棒料、晶片）电阻率和硅外延层、扩散层和离子注入层的方块电阻以及测量导电玻璃（ITO）和其它导电薄膜的方块电阻和电阻率。该系统广泛应用于高校科研院所和企业单位半导体薄膜和薄片材料电学性能研究。

可实现多种薄膜材料的电学性能

满足您的所有电阻率材料测量

双电测组合法测量原理，精准性和稳定性高

采用双电测组合四探针测量，提高薄膜电阻和体电阻测量准确度创造了有利条件，使用此方法，测量结果与探针间距无关，

不移动四探针针头，同时使用三种模式测量，既可计算得到测试部位的电阻均匀性

经典直排四探针设计，特殊半球状针尖

避免薄膜样品损坏，可以测量半导体薄膜和薄片材料的方块电阻、电阻率，双电测组合测量，消除探针和样品的自身影响，稳定性好，精确度高

多功能真空电学加热炉

可实现高温、真空、气氛测量环境，高温炉膛采用进口纤维一体开模铸造而成，工作温度800℃，采用PID精确控温，实现不同温度区间的精确控温，控温精度达到±0.5℃

测量范围宽、重复性好

提供复杂多变的电阻率测量环境，实现102Ω～1016Ω的电阻率测量；专业薄膜电学测试软件，内置常用关键参数测量，操作简单方便，让系统的重复性好稳定性更高

技术参数